返回首页   |      中文   |   English
首页 公司简介 产品中心 新闻动态 工具下载 技术支持 人才招聘 联系我们
产品类别
 TOUCH PAD IC
    单键
    单键带LDO
    单键调光
    2键
    3键
    4键
    6键
    8键
    16键
    入耳检测IC
       
 入耳TWS IC
 4 BIT MCU
    LCD Driver MCU
       MASK
       OTP/MTP
    GPIO MCU
       MASK
       OTP/MTP
    Touch MCU
       MTP
       
 ASIC
    Power
    计步器
    计时器
    体温计
    ON/OFF
    耳机
    热红外
    报警器
    灯串
    LED灯
    马达驱动
       ASIC参数
 BLDC
    直流无刷电机
       小功率电机
       中功率电机
    方案
       驱动方案
       控制方案
    成品
       立扇
       趴地扇
    配件
       可充锂电池
       电源适配器
       
 Audio IC
    Audio ADC
    Audio DAC
    Audio CODEC
       
 Encode IC/Decode IC
    Encode IC
    Decode IC
       

地址:深圳市福田区上梅林广夏路菉华
科技大楼七楼
电话:86-0755-83190593
传真:86-0755-83190730
Email:admin@csc-ic.com

    行业资讯
如果您有任何疑问,请点击右边的按钮
武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产,存储单元面积和密度达到国际先进水平
发布日期: 2020/6/19     浏览次数: 66次
 

近日,武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。


目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。


据了解,武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破,随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升,武汉新芯用了18个月。


Flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列XM25QWxxC,容量覆盖16兆到256兆。性能测试显示,在1.65伏至3.6伏电压范围内,该系列NOR Flash存储芯片的工作频率可达133兆赫,即使在零下40℃或105℃这种极端温度下,依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达10万次,数据保存时间长达20年。


研发人员介绍,作为NOR Flash存储芯片中的“闪电侠”,该芯片在连续读取模式下,能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期,即可读取24位地址。不仅如此,它还可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上,令用户通过宽电压功能实现更好的库存管理。


“对此次研发而言,最难的挑战是速度、功耗和可靠性。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏说,随着50纳米NOR闪存的重大突破,武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力,针对快速发展的物联网和5G市场,持续研发自有品牌的闪存产品,不断拓展产品线。


近期,武汉新芯与业内领先的物联网核心芯片和解决方案平台乐鑫科技达成长期战略合作,双方将围绕物联网应用市场,在物联网、存储器芯片与应用方案开发上展开合作。乐鑫科技CEO张瑞安表示,武汉新芯NOR Flash存储芯片,支持低功耗、宽电压工作,能满足该平台全系物联网芯片、智能家居及工业模组的应用要求。


武汉新芯成立于2006年,专注于NOR Flash存储芯片的研发制造,并以全球领先的半导体三维集成制造技术,在图像传感器、射频芯片、DRAM存储器等产品上,不断实现性能和架构突破。 


 
【上一条信息】 :民进中央建议将功率半导体新材料研发列入国家计划
【下一条信息】 :武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产,存储单元面积和密度达到国际先进水平

Copyright (C) 2008-2011 ChinaIC Semiconductor Co.,Ltd. All Rights Reserved

MCU销售咨询
QQ在线,请点击联系我!
 于海洋
ASIC销售咨询
QQ在线,请点击联系我!
 李 丽
QQ在线,请点击联系我!
 伍平
音视频销售咨询
QQ在线,请点击联系我!
 刘真铎